来源：欧宝体育app官方入口 发布时间：2024-04-29 04:50:07 人气：1 次
导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制作而成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管）等，大多数都用在电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
近年来，全球半导体分立器件行业市场规模呈现波动变化。依据数据显示，2021年全球半导体分立器件行业市场规模为303.37亿美元，同比增长27.4%，2022年进一步同比增长12.1%，为339.93亿美元。
根 据 Yole 数据，2021 年 SiC 市场占有率前五厂家均为欧美日企业，合计占 据 93%的市场占有率，其中意法半导体依靠与特斯拉的合作占据全球 40% 的市场份额。
近日，日本电子元器件领域的两家重要企业罗姆半导体和东芝，联合发布声明，计划进行一项巨额投资。
如今的芯片大多数都同时具有数字模块和模拟模块，因此芯片到底归属为哪类产品是没有绝对标准的，通常会根据芯片的核心功能来区分。在数模混合芯片的实际在做的工作中，数字IC与模拟IC工程师也是遵照各自的流程分别开展工作。
第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料，锗做的晶体管曾经也是流行的老大，但由于速度较慢、不耐热等缺点，在八十年代初就被硅基管给取代了，一直到现今，90％以上的芯片都是以硅为基底，晶圆也基本都是硅片（就是沙子）。
GeneSiC 在满足汽车行业需求的经验还包括开发快速充电站解决方案，这对 EV 的快速普及至关重要。以 SK Signet 最近设计的额定 350kW 快速充电桩为例，它可以将 277VAC 的市电变换为200~950VDC 精准控制的电压，适用于 400V 和 800V 电压平台的 EV。
碳化硅晶片薄化技术，碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄十分艰难。碳化硅切片的薄化主要是通过磨削与研磨实现。
据麦姆斯咨询报道，近日，中国科学院金属研究所科研团队发明了一种具有新信号处理行为的光控二极管，相关研究成果在线发表于《国家科学评论》（National Science Review）。
在新能源汽车方面的应用主要有主驱逆变器、车载充电器OBC、DC/DC等；在充电基础设施方面的应用主要有快速直流充电、无线充电、工业充电器等；在IT基础设施方面的应用主要有PFC、DC/DC 转换器等。
国内企业率先在半绝缘衬底方面取得了非常快的进展。而在导电型衬底方面，2021-2022年国内各个衬底厂商的外部的应用需求迅速增长，同时在各项指标上已得到了下游端客户的验证。
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不一样RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
凭借其卓越性能而被不断应用于光伏发电、电动汽车、轨道交通和风力发电等领域，引领着电力电子领域的一次技术革命。全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62.97亿美元，年均复合增长率达34%。
汽车一直是碳化硅（SiC）的主要应用市场。在整个汽车半导体供需发生改变的情况下，碳化硅是否还会延续此前供不应求的市场行情？
下一代 CMOS 逻辑晶体管的另一个有希望的候选者是通道是过渡金属二硫属化物 (TMD) 化合物的二维材料（单层和极薄材料）的晶体管。
众所周知，GaN 功率晶体管的核心问题之一是它们在开关操作期间的动态导通电阻 (RDS(ON)) 增加，这会影响 GaN 功率晶体管和总系统的可靠性。
在电动汽车领域，纯电动汽车BEV、混合动力HEV、插电式混合动力电动汽车PHEV、400伏/800伏的系统将直接影响碳化硅（SiC）相对采用率，800伏的纯电动汽车动力系统最大有可能采用SiC器件。
中国电动汽车的崛起。在拆解比亚迪最新一代平价电动汽车海豹后，瑞银汽车团队认为到2030年，中国电动汽车厂商的全球市场占有率将从2022年的17%增至33%，这将对全球供应商格局生重大影响。
功率半导体行业具有广泛的应用前景和稳定的市场需求，同时也是一个技术壁垒较高的领域。随着新技术的发展和市场需求的多样化，功率半导体行业将继续保持增长态势，并且将不断推动技术创新和产业升级。
主驱采用碳化硅，综合损耗比硅器件降低70%，行程里程提升约5%。在OBC上采用碳化硅，器件数量减半，意味着被动器件直接减半，且配套的驱动电路也减少了，体积下降的同时成本也在下沉。这也是怎么回事OBC应用碳化硅比驱动应用早的原因。
